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El crecimiento de la tecnología de encapsulado de semiconductores de potencia se ve impulsado, en cierta medida, por los avances en ingeniería de materiales y técnicas de producción. La industria ha sido pionera en un enfoque de procesamiento íntegramente en cobre para aumentar la resistencia a los ciclos de potencia y la estabilidad operativa a largo plazo, así como para mitigar la discrepancia del coeficiente de expansión térmica entre los diversos materiales de los módulos. Esta metodología consta fundamentalmente de tres elementos clave: soldadura ultrasónica de los terminales de alimentación de cobre del módulo, interconexión mediante cable de cobre y metalización del cobre del chip.

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